Полупроводникови материали и структури за наноелектрониката

В края на 20-ти век микроелектрониката достигна максималните си възможности по отношение на производителност, интеграция, разсейвана мощност и скорост при обработката и предаването на информация. Основните материали за микроелектрониката и свързаната с нея оптоелектроника включваха силиций, германий и бинарни полупроводникови съединения (като АЗВ5, А2В6 и А4В6), за които бяха разработени специфични технологии. Техните електрофизични характеристики определяха качествата на устройствата, изработвани от тях. Въпреки това, чрез взаимната разтворимост между четвърта група полупроводници и различните бинарни съединения бяха получени твърди разтвори с електрофизични свойства, променящи се в зависимост от химическия им състав. Те послужиха като основа за наноелектрониката и позволиха разработването на нови класове устройства с уникални характеристики.

Темата на настоящото издание е изучаването на свойствата на полупроводниковите твърди разтвори, основните технологични методи за тяхното производство както и представянето на иновационни полупроводникови устройства, които не могат да бъдат реализирани върху традиционните материали в микроелектрониката. Книгата съдържа оригинални технологични и физически изследвания проведени от автора и неговия екип – изследванията са пионерски за страната ни и са извършвани паралелно с работите на редица водещи научно-изследователски групи в чужбина.